【摘 要】
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采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备C轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成等的影响.
【机 构】
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电子科技大学 成都市建设北路二段四号 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备C轴取向的LiNbO3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成等的影响.确定最优生长条件为沉积温度500摄氏度、氧分压20～ 30 Pa、靶基距3cm、激光强度120mJ.XRD分析表明,探索使LiNbO3薄膜与衬底间适配度小,并且LiNbO3薄膜(006)取向为主的方法.
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