【摘 要】
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本文用增重法测量镁在不同温度、湿度等条件下镁片增加重量来估算镁片的氧化速率,并用光电子能谱技术测量镁片表面生成膜的变化,借此比较镁片在各种储存条件下氧化速率的快慢
【出 处】
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第二十四届中国化学与物理电源学术会议
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本文用增重法测量镁在不同温度、湿度等条件下镁片增加重量来估算镁片的氧化速率,并用光电子能谱技术测量镁片表面生成膜的变化,借此比较镁片在各种储存条件下氧化速率的快慢以及镁片的放电容量、放电功率的损失.实验结果表明:镁合金表面氧化膜生成速率与付存的时间近似呈对数关系,其后随着时间延长氧化速率减慢;同一温度下,湿度对镁片储存有显著的影响;湿度大的生成氧化膜的速率快,同一湿度下,温度越高氧化膜的生长速率越快,但温度的影响不如湿度的影响大.从不同储存条下放电性能试验、称重及光电子能谱分析等三方面考察所得的镁片氧化速率变化情况是完全一致.
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