【摘 要】
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本研究的电路系采用ADS(Advanced Design System)软体进行模拟并且利用TSMC标准CMOS0.18μm1P6M制程，完成设计与实现一具有高隔离度及低插入损耗之20GHz～30GHzCMOS收发切换开关，并应用於超宽频(Ultra-Wideband,UWB)。此收发切换开关为对称性设计，故量测时以单一模式进行，其模拟结果为返回损耗-13dB～-21.5dB、插入损耗-2.5dB
【出 处】
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2009海峡两岸三地无线电科技研讨会暨博士生学术会议
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本研究的电路系采用ADS(Advanced Design System)软体进行模拟并且利用TSMC标准CMOS0.18μm1P6M制程，完成设计与实现一具有高隔离度及低插入损耗之20GHz～30GHzCMOS收发切换开关，并应用於超宽频(Ultra-Wideband,UWB)。此收发切换开关为对称性设计，故量测时以单一模式进行，其模拟结果为返回损耗-13dB～-21.5dB、插入损耗-2.5dB～-2.9dB、隔离度-20dB～-30.8dB、1dB增益压缩点18dBm～24dBm，晶片面积0.651x0.671mm2。
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