【摘 要】
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本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能量为60KeV的He+，然后分别对钨膜进行不同温度
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
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本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能量为60KeV的He+，然后分别对钨膜进行不同温度的等时退火，最后对这批样品注入能量为80KeV的H+，其中He+和H+注入剂量均为1016/cm2.之后利用弹性反冲分析(ERD)方法测量了不同钨膜样品中He和H的浓度分布，并用X射线衍射(XRD)和慢正电子束分析(SPBA)方法分别研究了不同温度退火对钨膜微结构及氦氢相关的缺陷的影响.
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