【摘 要】
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We have investigated the optical properties of AlN epitaxial layer grown by MOCVD using temperature-dependent photoluminescence measurements in the energy region of the band gap,with the wavelength of
【机 构】
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北京大学物理学院,北京,100871 中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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We have investigated the optical properties of AlN epitaxial layer grown by MOCVD using temperature-dependent photoluminescence measurements in the energy region of the band gap,with the wavelength of excitation source down to deep UV range (～177 nm).The experiments allow for observation of four different emission lines located at 5.85 eV,5.96 eV,6.06 eV and 6.125 eV,respectively at low temperature (as shown in Fig.1).
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目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法腐蚀相结合的方法制备VNPSS，并且探究了VNPSS的形成过程。VNPSS晶面的形成受到热力学过程和表面反应过程
作为第三代半导体材料的典型代表,氮化物材料在击穿电场、电子饱和迁移速度、热导率、抗辐射以及能量弛豫时间等方面具有更大的优势.基于子带间跃迁的GaN基量子阱红外探测器可实现从1微米到亚毫米波段的全红外光谱探测.同时,氮化物具有紫外扩展特性可制备单片集成的紫外-红外双色探测器,实现超低虚警率、超快响应时间、更小元器件体积以及更高分辨率成像.氮化物材料中极化诱导的内建电场是目前限制载流子纵向输运、影响红
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