【摘 要】
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目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法腐蚀相结合的方法制备VNPSS，并且探究了VNPSS的形成过程。VNPSS晶面的形成受到热力学过程和表面反应过程
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871 北京大学物理学院,人工微
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法腐蚀相结合的方法制备VNPSS，并且探究了VNPSS的形成过程。VNPSS晶面的形成受到热力学过程和表面反应过程的共同作用。所制备的VNPSS，其形成的晶面有利于光的提取。而且，相对于圆锥型和圆台形的NPSS而言，VNPSS在生长GaN的过程中具有更大面积的侧向生长，更容易形成空洞，进一步增加光提取效率。
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