【摘 要】
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纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料.由于自然界缺乏AlN同质衬底,AlN材料的制备必须始于异质衬底,较大的晶格失配和热失配,导致普通外延生长的AlN厚膜位错密度较高,晶体质量较差.侧向外延(ELOG)方法可以有效降低ALN中的位错密度.本工作利用自主研发的高温HVPE设备,
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料.由于自然界缺乏AlN同质衬底,AlN材料的制备必须始于异质衬底,较大的晶格失配和热失配,导致普通外延生长的AlN厚膜位错密度较高,晶体质量较差.侧向外延(ELOG)方法可以有效降低ALN中的位错密度.本工作利用自主研发的高温HVPE设备,在条状刻蚀图形(0001)蓝宝石衬底上侧向外延生长了AlN厚膜.图1是扫描电子显微镜(SEM)观察到的截面形貌,很明显外延生长的AlN已经合并.通过优化生长条件，运用侧向外延技术进行A1N厚膜的生长，将成为获得高质量A1N材料的重要方法之一。
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