【摘 要】
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采用自主设计的单一液相源进液MOCVD系统在LaMnO3/epi-MgO/IBAD-MgO/SDP-Y2O3/Hastelloy alloy基底上制备多层(Gd0.5,Y0.5) Ba2Cu3O7-δ ((Gd,Y) BCO)薄膜,研究了金属有机源配比和各层基底加热电流对(Gd,Y) BCO多层膜的成分、结构以及性能的影响.实验结果表明,当生长条件偏离时,(Gd,Y) BCO薄膜中会形成富Y的针状
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都610054
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采用自主设计的单一液相源进液MOCVD系统在LaMnO3/epi-MgO/IBAD-MgO/SDP-Y2O3/Hastelloy alloy基底上制备多层(Gd0.5,Y0.5) Ba2Cu3O7-δ ((Gd,Y) BCO)薄膜,研究了金属有机源配比和各层基底加热电流对(Gd,Y) BCO多层膜的成分、结构以及性能的影响.实验结果表明,当生长条件偏离时,(Gd,Y) BCO薄膜中会形成富Y的针状晶粒,而针状晶粒的含量、尺寸和排布对(Gd,Y) BCO薄膜的致密度和电流承载能力有重要的影响.当基带加热电流I1-layer=26.8A,I2-1ayer=27.0A,I3-1ayer=27.2A,金属有机源的摩尔比(Gd,Y)∶Ba∶Cu=1.2∶2.18∶2.4时,制备出500nm厚的(Gd,Y)BCO三层膜临界电流可达到250A/cm以上,临界电流密度可以达到5MA/cm2以上,这对于制备高性能的高温超导带材具有重要的意义.
其他文献
122铁基超导体(Ca, RE)Fe2As2中高Tc(约40 K)超导电性的起源问题一直众说纷纭。我们通过过渡金属元素TM(TM=Co,Ni)替代Fe的方式向系统引入电子,研究了电子掺杂对该体系较高的超导转变Tc的影响。在低La含量时,无TM掺杂的样品不表现高Tc超导电性。当TM含量增加一定含量时,高Tc超导电性突然出现,这说明了电子掺杂可以引发该体系高Tc超导电性的出现。在随后的一定TM掺杂范围
本论文通过基于密度泛函理论的第一性原理,应用广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,计算了具有和超导体ZrNC1相同的层状结构化合物Zr2N2S基态电子结构和弹性密度矩阵,对其能带结构和态密度进行研究,计算表明该化合物为半导体,其能隙为0.617ev,并且不具有超导电性,其弹性系数C11,C33,C44,C12,C13分别为264.4,254.1,77.1,139.7,94.7GPa,体模量为15
The single crystals of NaFe 1-xCuxAs were synthetized with self-flux method, and measured the transport property, ICP and heat capacity.ICP measurement results show that the doping amount x is consist
我们成功合成并研究了M2AX相化合物Cr2GaN,其空间群为P63/mmc.我们通过用Ge取代Ga对系统经行了掺杂研究,我们发现,Ge的溶解极限约为0.25.随着Ge的掺杂浓度提高,a轴长度逐渐增加,而c轴长度逐渐减小.先前的文献报道,通过电阻和磁化测量证明了Cr2GaN在170K左右有一个相变,这个相变可能来自于自旋密度波.该样品的电阻和磁行为,和铁基超导体的母体有很多相似性质.我们发现,通过G
高压手段被认为是调制超导电性和正常态行为的有效方法。近期,具有FeSe层结构的新超导材料(Li1-xFex) OHFeSe被发现,其超导临界温度超过40K,这引起了科学界新一轮对铁基超导体研究的热潮。我们小组很快利用水热法生长出了高质量的(Li1-xFex) OHFeSe单晶样品,并对其进行了高压输运测量。我们发现,随着压力的增加,超导转变温度不断被压制,同时正常态电阻率也显著减小,这可能由于随着
铁基高温超导体研究中的一个前沿问题是其超导电子配对机制.最近发现的(Li1-xFexOH)FeSe超导体有约40 K的超导转变温度,为研究铁基超导体配对机理提供了新的素材,而且该材料中也只有一套电子型的费米面.我们用扫描隧道显微镜/谱仪对这一材料进行了研究,和FeSe单层膜类似,在该材料的隧道谱中也发现了两个超导相干峰,隧道谱能用两个各向异性的s波能隙函数拟合,能隙最大值分别为△1=14.3 mV
高质量单晶在非常规超导体本征性质研究方面具有非常重要的作用,铁基1111体系高质量、大尺寸的单晶一直是一个难点。我们使用CaAs自助熔剂的方法成功生长出毫米尺度的CaFeAsF单晶样品,并对其展开结构表征和物性研究。相比其他助熔剂方法,CaAs具有性质稳定和不引入额外元素的优点,高质量的单晶提高了我们对样品结构及输运等性质研究的可靠性。我们通过单晶X射线衍射仪对所得样品进行了结构表征；通过对电阻、
We synthesized F-substituted NdOBiS2 single crystals and measured superconducting transition temperature Tc, and critical magnetic field Hc1 and Hc2.Then the London penetration depth λab as a function
在CuAu3结构的材料中,其超导电性起源与晶体结构、价电子数的关系一直存在有争议。在这些体系中,TC温度常常与晶格常数表现为反比关系,而在有些材料中TC随载流子浓度震荡变化,其超导电性与晶格常数及价电子数的关系没有清楚的认识。我们研究了CaSn3单晶中的超导电性,并确定了其相关的超导参数。结合第一性原理计算,我们对实验现象进行了解释并且分析了ASn3和APb3体系中超导电性与晶格常数、费米面态密度
为了克服弱连接，二代高温超导带材需要获得高度织构的薄膜，现在最好的织构获得方法是IBAD MgO法，可以在多晶或非晶基底材料上获得接近准单晶的薄膜.但是IBAD MgO是否已经是最优的方案呢？即使IBAD MgO已经是最优的，如果能寻找到性能和IBAD MgO接近的IBAD织构材料，也是很有意义的工作，比如可以绕开IBAD MgO系列专利的限制，可以有更多的可供外延的晶格参数的选择.IBAD Mg