【摘 要】
：
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱
【机 构】
：
吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春130021,长春130021,长春130021
论文部分内容阅读
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP
其他文献
合成了苯甲酸-镝-钇固体配合物并研究了它们的光致发光性质.实验结果表明,当苯甲酸镝中部分Dy<sup>3+</sup>离子被Y<sup>3+</sup>离子取代时,可以便配合物中Dy<sup>3+</sup>
本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量.在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用势、表面
本文研究了Bi<sub>2</sub>Sr<sub>2</sub>CaCu<sub>2</sub>O<sub>8</sub>单晶（Tc=85K）、Bi<sub>2-x</sub>Pb<sub>x</sub>Sr<sub>2</sub>Ca<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O&
本文合成了一系列掺杂三价铽离子的碱土金属钨酸盐,测定了晶体的X射线粉末衍射数据及发射光谱和激发光谱.所合成的化合物均属四方晶系,I4_1/a空间群,晶胞多数随金属离子半径
<正> 自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰
本文采用扩展离子处理自洽迭代计算方法研究了CsCl中F_H(CN)~-缺陷中心基态两种不同位形F-(CN)~-及F-(NC)~-,认为在CsCl中F-(NC)~-位形是F_H(CN)~-缺陷中心应该优先占据的位
本文从SSH模型出发,用三阶含时微扰研究了一级体系的非线性光学系数.说明了电子-晶格耦合对非线性极化的影响.对聚乙炔的三次谐波产生系数给出了与实验相符的结果.
本文利用激发能传递的广义主方程理论和光谱实验结果,首次研究了相同和相异叶绿素分子体系的激子相干迁移的时间特性.Chla分子间的相干时间为350fs,Chlb分子间为160fs,Chla与
本文研究了用还原气氛法在箱式炉内制得的BaCl_2:Eu~(2+)微晶及进一步处理后得到的BaCl_2·2H_2O:Eu~(2+)微晶的发光特性,包括发射光谱、激发光谱、热释光、光激励发光(
血小板与激活的多形核白细胞（ＰＭＮ）反应释放腺苷酸，后者对ＰＭＮ化学发光的调控具有浓度依赖性且呈双相效应。低浓度腺苷酸和低比率血小板可促增ＰＭＮ化学发光，而高浓度则抑制。ＰＭＮ激活与否影响血小