嵌入式流处理器及其应用

来源 :2003嵌入式世界研讨暨展示会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bard
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由于半导体技术的不断进步和多媒体数据应用领域的不断扩大,像素帧巨大的图像处理应用的计算机体系结构,在嵌入式应用环境的体积与功耗的限制下,目前正面临着三个要解决的关键问题.一是要解决千亿次量级的运算速度,二是必须解决引出头的数目受限制的关键问题,三是由于多媒体数据处理几乎没有时间和空间局部性,一幅图像中的每个像素通常只是被访问一次,因而不仅要解决运算量大的问题,而且要解决处理器与存储器之间的数据带宽问题.针对上述三个关键问题,近十多年来,国外对新一代多媒体处理器体系结构进行了广泛的研究,有专用多媒体处理器、可编程多媒体处理器、向量处理器以及流处理器等体系结构.
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Fourier红外透射(FTIR)谱技术和透射-反射光谱实验是研究氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段.样品用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法制备,通过合理的基线把FTIR透过率谱转换成吸收谱,得到薄膜的氢含量及组态信息,并分析其与衬低温度、氢稀释比以及光学带隙的对应关系.
在3.0MPa氢气气氛下机械合金化Mg-60wt﹪LaNi制备出复合储氢材料,XRD分析表明球磨60h后的物相为MgNiH,β-MgH和LaH,制备出的MgNiH相具有正方晶系的结构;对材料的热力学和动力学特性研究表明:该复合材料具有较高的活性,室温下15分钟内的吸氢量为2.37﹪;在5.0MPa氢气压力和373K~473K之间的条件下,可以在1min之内完成饱和吸氢量的80﹪以上,在5.0MPa
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以SiCl和H为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速沉积晶化硅薄膜,沉积速率高达3A/s以上.本文研究沉积速率与工艺条件的依赖关系和对薄膜结晶度的影响.
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