【摘 要】
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针对分子束外延自组织生长的第二类能带对准型Gasb/GaAs量子点,我们系统地进行了低温下光致发光谱研究。发现Gasb量子点光谱峰值能量的蓝移量与激发功率密度的立方根成正比;而且根据激发功率增强时观察到的激发态跃迁,可以估算量子点内间接激子的寿命。我们还研究了不同功率下,量子点发光随温度升高而淬灭的活化能,发现活化能随量子点内平均载流子数目增加而减小;同时活化能与光谱峰值能量之和不变。且小于GaA
【机 构】
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国家纳米科学中心,北京,100190
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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针对分子束外延自组织生长的第二类能带对准型Gasb/GaAs量子点,我们系统地进行了低温下光致发光谱研究。发现Gasb量子点光谱峰值能量的蓝移量与激发功率密度的立方根成正比;而且根据激发功率增强时观察到的激发态跃迁,可以估算量子点内间接激子的寿命。我们还研究了不同功率下,量子点发光随温度升高而淬灭的活化能,发现活化能随量子点内平均载流子数目增加而减小;同时活化能与光谱峰值能量之和不变。且小于GaAs的带隙。
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