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半导体多量子阱结构相关论文
基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁,其在光探测器,电光调制器......
会议
半导体多量子阱结构
子带间跃迁
材料生长
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