论文部分内容阅读
本文论述了武器装备建设中军选民用装备的发展趋势和重要意义,提出了加强军选民品论证和全面开展深化研究的建议。
搞好军选民品工作是装备建设中的一项重要任务
【摘 要】
：
本文论述了武器装备建设中军选民用装备的发展趋势和重要意义,提出了加强军选民品论证和全面开展深化研究的建议。
【机 构】
：
二炮装备研究院,北京,100000
【出 处】
：
2008年军民两用维修技术学术研讨会
【发表日期】
：
2008年10期
其他文献
木文采用深能级瞬态谱(DLTS)和变温霍尔测量研究了Ni/AlxGa1-xN/GaN结构的热退火处理对AlxGa1-xN/GaN异质结构电学性质的影响。实验发现带有10nm Ni盖帽层的Al0.25Gao0.75N/GaN异质结构经600 ℃退火处理后,其中的二维电了气(2DEG)室温迁移率从1530降至986 cm2/Vs,同时室温下的2DEG密度降低了2.0×1012cm-2,并且2DEG密度
为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较,结果表明铝薄层的插入明显改善,肖特基结的伏安特性高温下新型肖特基结的栅漏电流也小于传统的Ni/Au肖特基结,且漏电随着温度上升的速度也比较小,这归结于Al和Al0.245Ga0.755N势垒层表面的吸附氧杂
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激射波长为449.5 nm,半商宽小于0.1 nm。重要性能指标达到了国际先进水平。
本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至200ppm的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO浓度的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。我们对器件在不同浓度CO下的灵敏度与外加偏压的关系也做了研究,在正向偏压下,器件的灵
本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特基栅金属所加偏压为开启电压时,费米能级EF与异质界面处GaN导带底重合,最后我们利用薛定谔方程和泊松方程的自治计算,求解出了AlGaN/GaN HFET夹断电压,然后进一步验证得到了夹断电压和阈值电压的关系。
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm。跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对2个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,实现了太阳盲MgZnO导弹羽焰光电探测器,在10V偏压下,器件的探测峰值位于250nm,截止边为273nm。已经从截止波长和覆盖波段上满足军事上的要求。
分析了企业建模的分类、建模方法和应用,提出对维修保障系统建模研究中的启示,包括维修保障系统建模理论与模型体系构建、多视图的维修保障系统描述性模型体系构建、基于以维修保障性能参数的维修保障系统综合评价和维修保障系统体系设置与优化等问题。
在分析部队装备维修保障现状的基础上,论证了装备维修社会化保障的必要性；并从指导原则、法规体系、机构建设及运行机制等方面进一步探析了装备维修社会化保障的可行性,初步探索了装备维修实施社会化保障的模式。