【摘 要】
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利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为π×7.52 μm2的器件,峰值电流密度为24kA/c
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海200050;中国科学院研究生院,北京100049中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海200050
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利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为π×7.52 μm2的器件,峰值电流密度为24kA/cm2,峰谷电流比大于40.通过S参数测试和等效模型参数提取,得到器件阻性截止频率高于150GHz,具有应用于太赫兹固态源的潜力.
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