【摘 要】
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以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。
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针对分子束外延自组织生长的第二类能带对准型Gasb/GaAs量子点,我们系统地进行了低温下光致发光谱研究。发现Gasb量子点光谱峰值能量的蓝移量与激发功率密度的立方根成正比;而且根据激发功率增强时观察到的激发态跃迁,可以估算量子点内间接激子的寿命。我们还研究了不同功率下,量子点发光随温度升高而淬灭的活化能,发现活化能随量子点内平均载流子数目增加而减小;同时活化能与光谱峰值能量之和不变。且小于GaA
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采用金属有机化学气相沉积(MDCVD)方法在Si衬底上制备了NiO薄膜,扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射(XRD)分析显示,随着温度的升高NiO薄膜晶体质量得到了进一步的改善,并呈现(200)择优取向的趋势。紫外-可见分光光度计(UV)测试结果表明,随着温度的升高,NiO薄膜的平均透过率也得到了提高,其中400nm附近最高透过率为96％,通过线性外推作图法得到NiO薄膜的禁带宽度大约为3.70
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采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃、20Pa氧分压下得到高质量的MgNiO薄膜.研究了Mg含量对MgNi0薄膜禁带宽度的影响,发现Mg0.4Ni0.6O薄膜的禁带宽度达到5.15 eV,可应用于日盲区紫外探测。
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