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通过对(NH<,4>)<,2>S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10<10>cmH<,2><1/2>/W.
GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究
【摘 要】
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通过对(NH)S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10cmH/W.
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年3期
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