【摘 要】
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本文利用硫化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒阵列(CdS/TNTs)分散到活性层的方法提高传统反式结构ITO/nc-TiO2/P3HT:PCBM/MoO3/Ag电池能量转换效率.通过一种新型的化学水浴方法将硫化镉量子点沉积敏化二氧化钛纳米棒阵列,然后剥离超声的方法将CdS/TNTs分散到P3HT:PCBM活性层溶液中.结果表明在活性层P3HT:PCBM混合溶液中引入CdS/TNTs纳米棒阵列后,不仅能够
【机 构】
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物理与电子学院,河南省光伏材料重点实验室,河南大学,开封市 电子科学与工程学院,集成光电子国家重点
【出 处】
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第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会
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本文利用硫化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒阵列(CdS/TNTs)分散到活性层的方法提高传统反式结构ITO/nc-TiO2/P3HT:PCBM/MoO3/Ag电池能量转换效率.通过一种新型的化学水浴方法将硫化镉量子点沉积敏化二氧化钛纳米棒阵列,然后剥离超声的方法将CdS/TNTs分散到P3HT:PCBM活性层溶液中.结果表明在活性层P3HT:PCBM混合溶液中引入CdS/TNTs纳米棒阵列后,不仅能够提高活性层的光吸收,而且能够减少活性层中载流子的复合,从而提高电池的整体性能.影响器件性能的关键因素是CdS在TNTs表面的沉积次数,既沉积厚度,当沉积次数为20次时,电池的能量转换效率高达3.52％,这一结果较传统反式结构的电池效率提高了30％.
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