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随着大规模集成电路技术的不断发展，场效应管的特征尺寸将很快降到10 纳米以下，迫近经典电路理论所适用的尺度下限。大规模集成电路中电信号串扰和延迟已经严重制约着集成电路的频率和带宽的进一步提升。一种解决方案是以光路替代电路传输和处理信息，发展硅光子学，在硅芯片上集成光互联子回路。
稀土掺杂的高效率硅基纳米复合薄膜电致发光器件
【摘 要】
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随着大规模集成电路技术的不断发展，场效应管的特征尺寸将很快降到10 纳米以下，迫近经典电路理论所适用的尺度下限。大规模集成电路中电信号串扰和延迟已经严重制约着集成
【机 构】
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南开大学材料科学与工程学院,天津市海河教育园区同砚路38号,300350
【出 处】
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第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2016年11期
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