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四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量，同二元和三元材料相比，其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。正因为如此，四元混晶半导体材料近年来倍受科研工作者的青睐。目前，对于完全由InGaAsP材料组成的量子阱结构材料的研究很少有报道。lamberti曾采用模型固体理论对InGaAsP量子阱的电子和空穴能带进行了计算，表明模型固体理论在处理四元混品能带方而是成功的。本文仍采用该方法研究应变量子阱在组分和流体静压力调制下的能带转型的规律。