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S.Tiwari等提出的纳米晶非易失浮栅存储器具有功耗低，擦写速度快，存储密度高等诸多优点，使之有望取代传统的多晶硅浮栅存储器。选择半导体材料(Si、Ge)作为纳米晶浮栅，可以较好地与现有的集成电路工艺线兼容。当尺寸进一步缩小时，作为栅介质的SiO2厚度越来越薄，导致电荷直接隧穿几率指数增长，大大减小了存储时间。依据上述背景，笔者制作了双层非易失性存储器件单元，其中以Ge, Si纳米晶作为存储介质，使用HfA1O 替代SiO2栅介质。电荷存储特性测试表明，该非易失性存储器件具有较宽的存储窗口和较长的存储时间。