论文部分内容阅读
光致发光研究InP/GaAs/InPⅡ型量子阱
【机 构】
：
大学物理系
【出 处】
：
第八届全国发光学术会议
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
该文系统研究了铕掺杂铝酸锶磷光体的制备条件，获得了SrAlO:ESrAlO:E和SrAlO：E三种磷光体。光致发光和热释发大的研究表明，SrAlO：E为典型的E离子的红色发光，而SrAlO：E具有很深的电
在光致发光材料中，不少材料的辐射与温度相关特性很明显。该文对稀土硫氧化物和卤氧化物及其某些混合发光材料在不同温度下的发射光谱以及相对发射强度进行了研究。（本刊录）
介绍了一种用软件实现PID调节器无扰动切换的方法,将此方法应用于复杂的过程控制系统中,可简化系统的结构、手动与自动的切换和反馈回路的投入与切除,提高系统的可靠性,并使
本文以12-钼磷酸、甲苯胺蓝为原料,采用液相合成法获得了具有光致变色性能的碱性染料杂多配合物.元素分析和热失重分析表明该配合物的组成为(CHNS)·PMoO.采用IR、Vis-UV、NM
辽宁省大石桥市市委、市政府近日制定新闻舆论监督实施办法,支持新闻媒体对全社会进行民主监督,为改革开放、经济发展、精神文明建设和民主法制建设创造良好环境。 该市出台
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用 ，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备