随着微电子元件尺度的急剧减小，芯片集成度越来越高，其内部集成电路的特征尺度和复杂程度也在朝微型化和复杂化发展，以至于大规模集成电路中的互连引线特征尺度已经达到32nm甚至更小。如此小尺度互连引线在制备和使用过程中将经历高温、高电流密度以及极高的热应变等极端环境。因此，研究交流电作用下极薄、极细引线的疲劳破坏行为可以更好的指导引线设计、提高大规模集成电路的可靠性。本文采用扫描电镜下的四探针系统对厚度为35 nm、宽度从100 nm-5μm的金纳米线在i00 Hz交流电作用下的力-电-热疲劳进行了实验检测以及数值分析。通过引入温度探针，原位测量了引线端部的温度场，为温度场的计算提供了基准计算温度。同时根据3ω方法反演得到交流电作用下引线均布温度场的实时变化，并通过热力学第一定律计算了考虑界面导热的金纳米线温度场及应变场分布。另外经过扫描电镜原位观察分析，得到了极薄引线交流电诱导下的失效机理为晶粒的长大与重新取向，进而诱发了微裂纹和孔洞的生成，并最终导致引线的焦耳热失效。在研究中，首次观察得到了纳米尺度引线上竹节状晶粒排列与非均匀晶粒生长区，体现了疲劳过程中的非均匀温度场作用。最后通过观察对比不同宽度纳米引线的疲劳行为，发现在同一电流密度下较细的纳米引线具有更高的疲劳寿命。