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秦皇岛耀华５００ｔ／ｄ级浮法玻璃生产线全线计算机控制的应用
【机 构】
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岛玻璃工业研究设计院高科节能所
【出 处】
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1998年全国玻璃学术年会
【发表日期】
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1998年12期
其他文献
通过拉晶热场系统、单晶炉真空系统及计算机自控参数，掺杂机构、拉晶工艺等一系列改进，在国产ＴＤＲ－６２Ｂ单晶炉上采用１２″热场成功地实现了大投料量，生长出Φ１００ｍｍ重掺砷硅单晶。同时还进一步改进和完善了重掺砷单晶在试制、生产过程中的环保治理，采取了高效安全的砷毒防护措施，目前已投入批量生产，产品８０℅以上销往美、日等国。
该文就反应温度、Ｈ〈，２〉气与ＳｉＨＣｌ〈，３〉的摩尔比、炉内混合气体量及其运动状况、炉膛容积、吸热和辐射传热表面积等对还原反应效率和多晶硅产品质量的影响进行分析，并在六对棒ＳｉＨＣｌ〈，３〉氢还原炉结构和工艺设计中加以应用，对在运行中的有关问题进行了讨论。
高性能的模拟集成电路需要高质量的外延片，该文研究了在Φ１２５ｍｍ硅初底片上，使用ＳｉＨ〈，２〉Ｃｌ〈，２〉进行外延的工艺技术。重要解决了外延层均匀性问题，该 项技术已成功地应用于公司的彩电单片机及大屏幕彩电用集成电路的生产中。
随着超大规模集成电路设计线宽向深同米级（＜０．５μｍ）发展，对大直径硅片质量的要求越来越高，提高晶体完整性、减少污染和采用缺陷工程方法改善表面质量的研究更加深入。该文阐述了深亚微米集成电路用大直径大硅片工艺技术、表面完整性和洁净程度的研究热点和检测技术发展趋势。同时还介绍了硅及绝缘体上硅（ＳＯＩ）材料的缺陷工程研究。
对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。该文讨论了采用硅光电池作为传感器的红外光辐射测温仪测量硅单晶的表面温度时的测准问题。得到了红外辐射温度计所接收到的辐射亮度信号大小与其相对于表面的取向无关的结论，提出了定量计算反射信号对于红外辐射温度计实际测量得到的温度的修正量的方法。
该文观察了不同条件下，ＣＨ〈，３〉Ｓｉ（ＯＣ〈，２〉Ｈ〈，５〉）〈，３〉水解过程中的粘度行为，中性条件下其化学计量水解－缩聚反应为二级反应。随水量的增加，水解反应加快，粘度变化率增大，缩短了胶凝时间，但过多的水反而使粘度变化率降低，胶凝时间延长。酸催化使反应加快，胶凝点提前。
该文从我国当前近２０００余家加工玻璃的生产、现状、发展及其市场发展前同一一作了分类剖析，并对目前国内几种主要类型的加工玻璃生产线的布局，产品品种、产品质量，以及市场状况和生产线开工率等作了简要介绍。