【摘 要】
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新型硅表面钝化材料Al203由于其优异的钝化特性和适合于高效P-型产业化电池引起了广泛的关注.目前,对Al203在太阳能电池应用的研究主要集中在发射极及背表面钝化(PERC)电池作
【机 构】
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中国科学院微电子研究所, 100029
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新型硅表面钝化材料Al203由于其优异的钝化特性和适合于高效P-型产业化电池引起了广泛的关注.目前,对Al203在太阳能电池应用的研究主要集中在发射极及背表面钝化(PERC)电池作为钝化层上.本文采用热-原子层沉积(Thermal-ALD)技术生长的Al2O3膜层引入异质结(HJ)太阳能电池中替代此类电池中常用的本征氢化非晶硅钝化层,通过采用微波光电导衰减的方法证明即使是很薄的Al2O3膜层也可以提供优异的晶硅表面钝化效果.此外,通过采用温度依赖的在无光照下的I-V测试,试验结果表明S-形I-V曲线特征随着测试温度的升高和Al2O3膜层厚度的减少而减弱.结合试验和模拟计算,发现这一减弱的S-形I-V特征是由于在Al2O3/晶体硅界面的隧穿效应随着Al2O3膜层厚度的减少增强而引起的.本文提出,由于Al2O3介质层在太阳能电池应用波长内没有吸收且具有良好的热稳定性,可应用在非晶硅/晶体硅异质结(HIT)电池中作为钝化和隧穿层.
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