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本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的灵活性和良好的可控性,满足了高性能自对准HBT制作的工艺要求.
自对准HBT T型发射极的制作
【摘 要】
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本文比较了SF对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.
【机 构】
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中国科学院微电子中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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