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本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
【摘 要】
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本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年2期
其他文献
在800℃和1000℃处理下,掺氮直拉硅(NCZ-Si)较普通直拉硅(CZ-Si)有更显著的氧沉淀.经过1000℃,225小时处理后,NCZ-Si中的部分氧沉淀经过1150℃以上温度的后续处理即可以溶解,但仍然保留了一部分具有高温稳定性的氧沉淀.CZ-Si中的氧沉淀数目很少,在1200℃及以下温度进一步长大,而在1250℃可以发生溶解.NCZ-Si和CZ-Si的氧沉淀形成及溶解行为的差异的原因在于
成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm的N/O(SiN/SiO)stack栅介质,并深入研究其性质.研究结果表明,同样EOT的N/O stack栅介质和纯SiO栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流,可靠性等方面都远优于后者.在此基础上,我们采用N/O stack栅介质制备出栅长为0.12nm的性能优良的CMOS器件.
本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.
本文利用快速退火的研究方法对Φ8英寸直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行了观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N、N/O(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分
采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的VO薄膜.X-ray衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米VO薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.并测试了薄膜具有优良的电致变色的特性.
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少了wafer体内的载流子复合中心,提高了光生载流子的扩散长度,使非平衡少子寿命提高.Al背场厚度不同对太阳电池的参数带来一定的影响.
本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10min、15min、30min.取样后用光学显微镜观察了FPDs的宏观形貌及随不同腐蚀时间的密度变化,并用原子力显微镜揭示了FPDs端部结构特征,二者分析结果得到很好的吻合.结合以上观测结果分析了FPDs、Secco腐蚀蚀坑(SEPs)的演变过程.利用激光颗
采用紫外光能量辅助超高真空化学气相淀积(UV/UHVCVD)技术,在450℃低温下外延生长了SiGe/Si材料,对SiGe材料进行了x射线衍射分析,讨论了SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系.基于紫外光化学气相反应的机理,本技术具有淀积温度低的优点.基于切断光源即可瞬间终止反应的特点,本技术生长的材料层与层之间的界面特性优异.
本文主要介绍了Φ5″区熔硅单晶的生长,及NTD后的热处理,并对整个研制过程中晶体生长理论的几个关键性问题进行了讨论.
本文对不同工艺条件下生长的区熔硅单晶的固液交界面进行了电阻率测试,实验结果表明:在相同的生长工艺条件下,各等温面上具有相同的杂质分布曲线,但在同一等温面上杂质浓度并不相同.通过对不同实验条件下生长的硅单晶电阻率的RRV对比,可以看出设置不对称温度场有利于固液交界面杂质的均匀分布,有利于降低单晶电阻率的RRV值.