【摘 要】
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本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083
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本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现,两种不同结构的探测器的I-V特性和光谱响应特性具有不同的特征,在实际应用中应结合这些特征,根据具体需要选择其中的某种结构.
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