【摘 要】
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本论文采用背散射电子衍射技术(EBSD)对涂层导体用铜镍合金基带强立方织构的形成机理进行了研究.结果表明:再结晶过程中,立方取向的晶粒不具有形核优势,但具有一定的长大优势,并形成再结晶立方织构;强立方织构的形成主要取决于晶粒长大过程中晶粒尺寸较小的非立方晶粒和部分小尺寸立方晶粒受界面曲率的驱动而减少甚至消失,1000℃热处理1h后,立方织构(＜10°)含量大于98％.
【机 构】
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北京工业大学,材料科学与工程学院,北京100124
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本论文采用背散射电子衍射技术(EBSD)对涂层导体用铜镍合金基带强立方织构的形成机理进行了研究.结果表明:再结晶过程中,立方取向的晶粒不具有形核优势,但具有一定的长大优势,并形成再结晶立方织构;强立方织构的形成主要取决于晶粒长大过程中晶粒尺寸较小的非立方晶粒和部分小尺寸立方晶粒受界面曲率的驱动而减少甚至消失,1000℃热处理1h后,立方织构(＜10°)含量大于98％.
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