【摘 要】
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GaN基材料具有直接宽带隙、光覆盖从紫外到红外,高电子饱和速率等优异的物理和化学性能,使其成为国际上研究热点之一.目前,GaN基材料通常利用"两步法"生长在Sapphire等异质衬底上,但是由于大的晶格失配和热失配,此方法无法避免GaN中高密度的位错等缺陷,严重制约着GaN基光电子和微电子器件的发展和应用.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春130033
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GaN基材料具有直接宽带隙、光覆盖从紫外到红外,高电子饱和速率等优异的物理和化学性能,使其成为国际上研究热点之一.目前,GaN基材料通常利用"两步法"生长在Sapphire等异质衬底上,但是由于大的晶格失配和热失配,此方法无法避免GaN中高密度的位错等缺陷,严重制约着GaN基光电子和微电子器件的发展和应用.
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