【摘 要】
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本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器,分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800×1000μm2,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.36A/W,-3dB带宽为50MHz.
【机 构】
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电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
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本文在原有双极工艺的基础上设计了一种可集成的硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与双极工艺兼容的工艺制程。借助仿真器,分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800×1000μm2,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.36A/W,-3dB带宽为50MHz.
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