MAPbBr3单晶材料的光致发光光谱通常由两个发光峰组成,然而,对于双峰的来源和指认一直存在争议。[1-3]为此,本课题开展了不同生长环境下的MAPbBr3体单晶和单晶薄膜的光谱特性研究,对发光谱双峰的来源进行了探讨。研究发现,在空气生长环境下,MAPbBr3体单晶和单晶薄膜的光致发光谱都呈现出双发光峰的特点,但两者发光峰的峰位有所不同。相比于单晶薄膜材料(537nm和560nm),体单晶材料的两发光峰(545 nm和570nm)要红移,该现象可以归因于体单晶材料内部的自吸收效应。同时,该现象说明两个发光峰均源自单晶材料的内部。与空气生长条件下单晶薄膜样品的双发光峰不同,氮气环境生长的样品只有一个发光峰(537 nm,如图1b所示)。为此,我们将～537 nm发光峰指认为单晶材料中自由电子空穴对的复合发光,将560 nm发光峰指认为氧离子相关的点缺陷态发光。时间分辨光谱研究发现,两发光峰具有相似的复合动力学特点,因此我们推断该点缺陷态为浅缺陷,且和导带底(或价带顶)之间的势垒很小(如图1(a)所示),电荷可在两态之间进行自由转移。此外,研究还发现,在氧气环境下进行光照处理,两发光峰强度随激光照射强度的增强逐渐增强,在氮气环境下,两发光峰强度则随照射时间逐渐减弱。由于氧气和氮气环境主要改变材料表面,两发光峰强度的变化,反映出表面非辐射缺陷态态密度随激光照射条件而发生变化。综合以上研究结果,我们提出了如图1所示的载流子复合机制模型。本工作为理解MAPbBr3单晶材料中载流子复合行为提供了新图像。