研制生长GaAs单晶的AlN、ZrB_2坩埚材料

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随着以镓、砷为主的单晶市场的正式开展,拉制单晶的不可缺少的坩埚材料的研制工作开始活跃起来。拉制 GaAs 用 PBN(热分解氮化硼)坩埚污染少,但价格甚高(即便考虑订货量,一个直径6时的坩埚需150万日元),只有美国联合炭素工厂生产此种材料,此种材料随使用时间增加其脱皮量增 With the gallium, arsenic-based single-crystal market officially launched, pulling the single crystal material development of the indispensable work began to flourish. Drawn GaAs PBN (pyrolytic boron nitride) crucible pollution less, but the price is very high (even considering the order, a 6-inch diameter crucible need 1.5 million yen), only the United States Carbon Factory production of such materials, this Material with the use of time to increase the amount of its peeling
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