【摘 要】
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为研究高频低功率双极型晶体管在静电放电电磁脉冲下的损伤机理,本文采用静电放电对高频低功率双极型晶体管3DG81B进行静电放电试验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;通过
【机 构】
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军械工程学院电磁环境效应重点实验室,石家庄,050003沈阳军区第65153部队,河北秦皇岛122527
【出 处】
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中国物理学会第十九届全国静电学术会议
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为研究高频低功率双极型晶体管在静电放电电磁脉冲下的损伤机理,本文采用静电放电对高频低功率双极型晶体管3DG81B进行静电放电试验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;通过Medici仿真软件,建立器件的仿真模型,通过仿真分析进一步验证该类器件对ESD最敏感端对为CB结;通过对该类晶体管进行微观失效分析,发现该类晶体管的电磁损伤机理为热二次击穿引起的热致损伤,损伤时的失效模式表现为电参数漂移、短路以及功能性失效.
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