该文给出了一个含有速度过冲效应ＳＯＩ／ＭＯＳ器件解析模型。速度过冲效应在模型中被考虑而不显著地增加模型的复杂性和计算时间。模型的计算结......

深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型.本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程......

对一种采用新结构的LDMOS（lateral double diffused metal oxide semiconductor）器件建立了模型．该器件在LDMOS中采用异质双栅（dual ma......