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本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.基于模拟结果,文中给出了异质结导带结构、二维电子气分布和电场特性,并对其做了简要分析与讨论.
AlGaN/GaN HEMT二维静态模拟数值方法研究
【摘 要】
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本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.基于模拟结果,文中给出了异质结导带结构、二维电子气分布和电场特性,并对其做了简要分析与讨论.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所(北京) 清华大学微电子所(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2004年7期
其他文献
提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算结果一致,说明该方法可有效的将极化效应引入异质结器件的模拟中.
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200nm~400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260nm—380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高
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利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传导特性的ZnO薄膜.当Al含量为0.15wt.﹪时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×10cm,电阻率28.3Ucm,Hall迁移率0.87cm/V.s.N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90﹪.
本文采用Al·N共掺的方法在NO-O气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中NO分压比的变化情况.在靶材中铝含量为0.04wt﹪,NO分压较低以及铝含量0.5wt﹪,NO分压较高的条件下得到了p型ZnO,而当铝含量增加到2wt﹪时只能得到n型薄膜.随着靶材中铝含量和气氛中NO分压比的增大,薄膜的迁移率下降.
本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)研究了底层材料特别是ZnS和CuInS的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是
体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz/5KHz,-10dB谱线宽度小于200Hz.
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