基于亚纳米孔修饰策略实现g-C3N4二维纳米材料电子结构的调控

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二维纳米材料的表面修饰是拓展和优化二维纳米材料物理化学性质及其功能性的重要手段,而具有有序亚纳米孔结构的二维纳米材料提供了一种理想的材料载体。本论文以晶格中具有有序"氮孔"结构的g-C3N4纳米片为材料模型,发展了一种将钛氧基团引入到"氮孔"中的亚纳米孔修饰策略。钛氧基团的引入实现了电子结构的调控,表现为g-C3N4纳米片带隙的减小和光催化性能的优化。这种亚纳米孔修饰策略为调控二维亚纳米孔材料的电子结构开辟了一条新的道路。
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