用EDA软件设计W波段单刀双掷开关

来源 :2003全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tsao8883
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本文介绍了鳍线PIN单刀双掷开关的设计过程,并介绍了如何利用常用EDA软件加速其设计过程的办法.测试结果表明,仿真结果与测试结果比较相符.
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在用模式匹配方法分析多脊波导时采用矩阵技术,在表达上简洁,编程上灵活.计算了两种脊波导,给出更全面的频谱.
考虑波导不连续性引起的高次凋落模,将场写为x函数矩阵与y函数矩阵以及系数向量的乘积,通过对相邻区域的y 矩阵进行加权积分得到边界匹配方程组,从而得到转移矩阵.本征方程和场系数都可从转移矩阵得到.数值例子验证了方法的正确性.
本文采用了全电荷格林函数法分析基于典型CMOS工艺下的互连线系统的电特性,对共面传输线的互连电容和电导在0~10GHz的频域特性进行了求解,并与实际测试结果进行了比较,一致性很好.
本文对延时线的信号传播特性作了理论上的分析,仿真了各种比例尺寸的延时线,讨论了延时线设计的一般规则.
本文通过对TE模圆极化器的耦合波理论和TE模圆极化器对TE模的影响两个问题的详细计算分析得出了TE模的耦合系数亦即得了波型差相移.指出只要TE模圆极化器的移相面是以90°为间隔旋转对称的,就能保证:TE圆模极化器对TE模无变极化效应;TE模与TE模之间的互耦为零.
本文提出子一种新型多层低温共烧陶瓷(LTCC)三级带通滤波器的结构及其设计方法.首先利用电磁场仿真软件对各谐振器的谐振特性,谐振器与外部电路的耦合特性,以及谐振器之间的耦合特性做详细分析,绘制出设计中需要的各种曲线.在此基础上得到三级切比雪夫响应带通滤波器的尺寸和频响曲线.进一步在第1和第3级谐振器之间引入交叉耦合,并通过改变该交叉耦合的强弱,在阻带中产生位置可调节的传输零点,从而显著地增大传输零
本文对开关电容及相关技术进行了研究,旨在探明用于大功率短波信号传输的CMOS开关电容实现的可能性.在提出新型CMOS开关门、功率及CMOS开关电容后,由实验证明,高频功率CMOS开关电容是可以实现的.
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本文介绍了微带PIN单刀单掷开关的设计过程,讨论在用户要求的频段范围内,实现高隔离度的方法.测试结果表明,在5.31~5.81GHz的频率范围内,插损小于2.7dB,隔离度大于55dB.
本文利用ADS软件对介质稳频压控振荡器进行了非线性分析和优化设计,并实际研制了11GHz电调振荡器,其输出功率为5dBm,电调带宽为±4MHz,机械调谐带宽为±100MHz,相位噪声优于-100dBc@100kHz.