【摘 要】
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碳纳米管具有优异的导电性,是未来电子元器件的理想候选材料,应用前景广阔.针对碳纳米管在空间电子元器件的应用需求,本文研究了多壁碳纳米管低能质子辐照效应,采用扫描电子
【机 构】
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哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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碳纳米管具有优异的导电性,是未来电子元器件的理想候选材料,应用前景广阔.针对碳纳米管在空间电子元器件的应用需求,本文研究了多壁碳纳米管低能质子辐照效应,采用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)及电子顺磁共振谱仪(EPR)对辐照前后碳纳米管试样的表面形貌和微观结构进行分析;利用四探针测试仪对碳纳米管薄膜进行电性能分析.结果表明,170 keV质子辐照条件下,当辐照注量高于5×1014 p/cm2时,碳纳米管薄膜表面变得粗糙疏松,纳米管发生明显弯曲和收缩现象,170 keV质子辐照后碳纳米管的有序结构得到改善.随着辐照注量的增加,碳纳米管薄膜的导电性能变差,这是由于170 keV质子辐照导致碳纳米管薄膜中的电子特性及形态发生改变.
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