【摘 要】
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制备了欧姆接触漏极和肖特基接触漏极两组不同结构的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET).根据测试得到的电容电压曲线和电流电压曲线,计算得到了两组器件的栅下二维电子气(2D
【出 处】
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ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会
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制备了欧姆接触漏极和肖特基接触漏极两组不同结构的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET).根据测试得到的电容电压曲线和电流电压曲线,计算得到了两组器件的栅下二维电子气(2DEG)电子迁移率.结果表明,漏极为肖特基接触的器件,电子迁移率更高.极化库仑场散射理论分析表明,由于肖特基接触漏极未引入负的附加极化电荷,相较于欧姆接触漏极器件,附加极化电荷产生的静电场和静电势更弱,即载流子榆运过程中受到的极化库仑场散射作用更弱,因此迁移率更大.明确了异质结界面处附加极化电荷产生的静电场和静电势对器件沟道载流子输运的影响,同时证实了利用附加极化电荷电场效应提高AlGaN/GaN HFET器件性能的可能性.
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