元器件ESD失效分析中的关键技术及其应用

来源 :ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Empty0
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要准确分析判断器件是否由于ESD造成的损伤或失效,在实际工程案例中通常存在几个难点:被发现的滞后性,电特性上与EOS难以区分,芯片内部的失效点难以定位,失效点的物理形貌难以判断,难以查找是哪个环节产生的静电放电损伤了器件,如何进行技术验证.本文将探讨,以上每个分析环节应该使用何种技术,以及在实验中应该做到什么,才能在逻辑上更为严密的确定器件的损伤或失效是由于ESD引起.
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