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理论和实验研究了利用双光束和四光束干涉场在外电场作用下的KNSBN:Ce晶体中写入平面和通道光波导阵列的方法。基于光折变动力学方程组进行了理论分析和数值模拟，并利用由双棱镜产生的干涉场在晶体中进行了实验研究。采用数字全息术测量了光写入波导阵列的折射率分布。波导阵列区域的近场投影图、衍射图以及导光测试的结果均表明在晶体中成功地写入了平面及通道波导阵列。实验结果和理论分析的结果相符，表明利用多光束干涉法可以在KNSBN:Ce晶体中制作波导阵列。