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建立了溶剂热合成技术，分别在聚醚和苯的体系中，利用ⅢＡ族卤化物和碱金属的ＶＡ化合物在溶剂的近临界状态下实现直接反应制得１０ｍｍＩｎＰ和３０ｎｍＧａＮ。通过ＵＶ－Ｖｉｓ和ＰＬ光谱的分析研究了纳米ＩｎＰ从团族到纳米晶的形成过程。ＸＲＤ和ＨＲＴＥＭ研究表明所制得的纳米ＧａＮ除了大部分的六方相外，还含有少量原来的３．７×１０〈’１０〉Ｐａ才存在的岩盐型ＧａＮ。