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该试验通过被记录下来的电流、电压等数据,评价环境对组件输出性能的影响和分析性能数据(包括弱光和特别气候条件下的性能评估、电性能的变化),同时对比室内与室外数据,分解析差异因素.
光伏组件的长期户外性能测试
【摘 要】
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该试验通过被记录下来的电流、电压等数据,评价环境对组件输出性能的影响和分析性能数据(包括弱光和特别气候条件下的性能评估、电性能的变化),同时对比室内与室外数据,分解析差异因素.
【机 构】
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常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 ,常熟 215562
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
【发表日期】
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2012年3期
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为获得低折射率和高电导率要求的中间层薄膜,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术, 在低氢气流量下制备了n 型非晶硅氧薄膜.本文研究了CO2/SiH4气体流量比、硅烷浓度、沉积功率和PH3 掺杂浓度等工艺参数对硅氧薄膜的沉积速率,折射率,电导率,晶化率以及光学带隙的影响,并获得折射率为1.99, 电导率大于10-6S/cm 和带隙大于2.6eV 的非晶硅氧薄膜.
本文以玻璃为沉底材料,采用直流溅射工艺制备ZnO:Ga 薄膜.研究在不同退火时间下,ZnO:Ga 薄膜的结构特性,光学特性以及电学性能的变化情况.通过XRD 和SEM 测试发现随着退火时间的增长,晶粒尺寸逐渐变大,但是成膜质量先变好后变坏,退火时间控制在90 分钟时可以得到最优质量的薄膜.在此过程中,薄膜的透射率也呈现先增加后减小的趋势,退火时间60 分钟后达到最大的透过率.通过检测其电阻率,发现
利用较薄的光吸收层充分吸收太阳光是薄膜太阳电池的一大难点.本文利用有限时域差分法(FDTD)计算并设计了一种以图形化铝片为衬底的非晶硅薄膜太阳电池,通过调节图形化衬底的特征尺寸,实现了宽光谱的吸收增强,并通过实验进行了验证.图形化衬底一方面起到传统绒面陷光的效果,减少了对短波长光的反射,另一方面图形化的背反层还能促进金属表面等离子体共振的激发以及波导模式的耦合,有效提高了非晶硅吸收层对长波长光的吸
本文研究了基于多孔硅层转移技术的a-Si/c-Si 异质结太阳电池.先后利用LPCVD和HWCVD 在已退火的双层多孔硅上生长晶硅薄膜和非晶硅层.采用SEM、Raman、XRD微波光电导衰减测试、I-V 特性测试和量子效率测试仪分别对双层多孔硅、外延硅薄膜及异质结电池进行了分析.结果表明：双层多孔硅经退火后,小孔层发生了闭合,大孔层孔径增大；1100℃、100Pa 下外延生长的硅薄膜的质量最好,且
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N 型单结电池进行研究.针对中间电池需要较高的长波响应,以实现太阳光谱的合理分配的问题,采用各种工艺优化手段来提升非晶硅锗电池的长波响应.通过对锗硅气体流量比、以及采用锗流量梯度对本征层带隙分布等进行调控,有效提高了电池的长波响应.以Al 为接触电极的单结非晶硅锗长波典型波段800 nm 量子效率达到10％,
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过对溅射ZnO 衬底进行不同腐蚀时间的实验发现：随衬底腐蚀时间的增加,其表面粗糙度逐渐增大,电池短路电流逐渐增加,开压也有所增加,但填充因子逐渐减小.对相同腐蚀时间的衬底,通过改变本征层硅烷浓度,研究其对微晶硅电池光谱响应的影响,实验发现硅烷浓度会对电池的短波响应造成很
甚高频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜太阳能电池,已得到广泛应用.因为微晶硅薄膜的沉积是个复杂的放电过程,其生长机理仍是目前研究的热点.在微晶硅薄膜的沉积过程中硅烷的浓度一般小于10％,辉光放电中主要参与反应的仍为氢等离子体,所以主要对氢等离子体的放电过程进行了光发射谱实验监测和计算机模拟.随着功率的增加,电子浓度和等离子体势均单调增大,而电子温度基本不变,仅在等离子体体层与鞘层界面附近区域随功
针对当前薄膜太阳电池对光管理的迫切需求,本文采用磁控溅射及后腐蚀技术制备获得了高性能绒面铝掺杂氧化锌前电极.深入分析了氧化锌多晶薄膜厚度及腐蚀时间对绒面结构及陷光特性的影响.研究结果表明,随多晶薄膜厚度的增加,晶粒尺寸增大,腐蚀后获得的弹坑状表面结构的粒径亦随之增大,绒度增大；随后腐蚀时间的增加,弹坑状粒径及绒度均具有先增大而后趋于饱和的趋势.当沉积氧化锌多晶薄膜初始厚度达2μm 时,获得的薄膜电
p-nc-Si:H 材料因为其量子尺寸效应的存在而具有宽带隙、高透过、高电导的特性.本文研究了温度、氢稀释、功率、压强和掺杂比等参数对薄膜结构特征和光电性能的影响,在高温、高氢稀释、高功率、高压条件下获得了优质p-nc-Si:H 窗口层材料.将pnc-Si:H 用作单节nip 型a-SiGe:H 电池的窗口层,显著提高了电池的短波响应,波长400nm处量子效率响应达到60.7％,最高响应峰值达85
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了多种p 型窗口层(包括p-a-SiC:H, p-μc-SiC:H, p-μc-Si:H)对n-i-p 型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p 型窗口层的光电、结构特性,发现传统p-i-n 型非晶硅电池所常用的p-a-SiC:H 材料暗电导率较小,而微晶硅电池所常用的p-μc-Si:H 带隙较窄,限制了电池性能的进一步提高.本文