【摘 要】
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本论文的目的是测定纳米硅粉中的多数载流子浓度,主要从两种手段进行研究.一种是通过测量微纳米硅粉压片的红外反射谱,利用等离子共振极小点的方法测定半导体多数载流子的浓度;另一种方法是通过测量压片前硅片电阻率推算出多数载流子浓度.我们已通过试验证明两种测试方法的结果是一致的,这样对于其他未知杂质浓度的纳米硅粉就可以通过测量红外光谱极小点来推算出多数载流子浓度.
【机 构】
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河北工业大学信息学院微电子研究所,天津,300130
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
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本论文的目的是测定纳米硅粉中的多数载流子浓度,主要从两种手段进行研究.一种是通过测量微纳米硅粉压片的红外反射谱,利用等离子共振极小点的方法测定半导体多数载流子的浓度;另一种方法是通过测量压片前硅片电阻率推算出多数载流子浓度.我们已通过试验证明两种测试方法的结果是一致的,这样对于其他未知杂质浓度的纳米硅粉就可以通过测量红外光谱极小点来推算出多数载流子浓度.
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