【摘 要】
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近年来,基于晶体硅太阳电池前表面各种技术的发展以及相关材料质量的提高,推动了电池转换效率的不断提升.随着硅片朝薄片化的方向发展,为了进一步提高电池效率,电池表面钝化尤其是背表面钝化就显得尤为重要.本文在产业化的5英寸P型CZ单晶硅电池背表面引入采用PECVD技术制备的AlOx/SiNx叠层薄膜,表现出较好的背钝化和背反射效果,电池转化效率达到19.82％,在此基础上通过优化相关工艺并采用SiO2/
【机 构】
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无锡尚德太阳能电力有限公司,无锡214028 江南大学理学院,无锡214122
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近年来,基于晶体硅太阳电池前表面各种技术的发展以及相关材料质量的提高,推动了电池转换效率的不断提升.随着硅片朝薄片化的方向发展,为了进一步提高电池效率,电池表面钝化尤其是背表面钝化就显得尤为重要.本文在产业化的5英寸P型CZ单晶硅电池背表面引入采用PECVD技术制备的AlOx/SiNx叠层薄膜,表现出较好的背钝化和背反射效果,电池转化效率达到19.82％,在此基础上通过优化相关工艺并采用SiO2/SiNx正面钝化结构使电池最高效率提高到20.32％.
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