【摘 要】
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在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10/cm到4×10/cm范围.注入后的样品在流动N气中经1100℃和30秒的快速退火处理.光致发光(PL)测量结果表明,
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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在室温下,140keV Zn分别沿GaN的<0001>沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10<13>/cm<2>到4×10<16>/cm<2>范围.注入后的样品在流动N<,2>气中经1100℃和30秒的快速退火处理.光致发光(PL)测量结果表明,蓝光发光强度与Zn的注入剂量有依赖关系.在相同剂量下,沟道注入时蓝光对黄光的相对强度明显高于随机注入的情况.
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