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该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着界面态密度的增加。栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。