【摘 要】
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在雷射輔助奈米壓印技衍當中,本研究使用KrF短波長胍衝式準分子雷射,其雷射波長為248 nm、胍衝時同為30 ns,作為輔助加熱矽晶片達到瞬間融化的熱源.並使用高透光率石英當作母膜,在其上定義出奈米等级特定圖案,再與欲壓印矽晶片接觸並施加壓力,而後從高透光率石英正上方施加準分子雷射,造成表層矽晶片材料的瞬間熔融,配合預先加載於材料表面之石英母模,直接在材料表面上完成奈米壓印與奈米特徵圓形的轉移.其
【机 构】
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成功大學奈米科技暨微系统工程研究所,台灣台南 成功大學奈米科技暨微系統工程研究所,台灣台南
【出 处】
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2007两岸三地博士生NBIC学术论坛
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在雷射輔助奈米壓印技衍當中,本研究使用KrF短波長胍衝式準分子雷射,其雷射波長為248 nm、胍衝時同為30 ns,作為輔助加熱矽晶片達到瞬間融化的熱源.並使用高透光率石英當作母膜,在其上定義出奈米等级特定圖案,再與欲壓印矽晶片接觸並施加壓力,而後從高透光率石英正上方施加準分子雷射,造成表層矽晶片材料的瞬間熔融,配合預先加載於材料表面之石英母模,直接在材料表面上完成奈米壓印與奈米特徵圓形的轉移.其優點在於可去除半導體裂程的光阻塗佈、曝光、顯影、及蝕刻等手續,而直接在矽晶片上裂作奈米等级圖案.本文挑選雷射能量密度1.15～1.6 J/cm2以及壓印力量為1.0～3.0 kg,藉以探討雷射能量、壓印力量對於壓印深度的相互影響.
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