支墩坝抗震动力可靠性分析方法研究

来源 :第二届全国抗震加固改造技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:plutus001
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本文考虑在地震作用下,提出了应用于水工结构工程抗震动力可靠性分析的随机动力有限元基本思路.通过与可靠度理论相结合,考虑地震荷载和结构材料变量的随机特性,建立荷载效应与基本随机变量之间的关系,然后在随机动力有限元的基础上进行水工结构动力可靠度分析,计算出相应的可靠指标.最后对一实际工程进行计算分析,验证了该方法的适用性.
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多晶硅薄膜是集晶体材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(<600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
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用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的SiGeC三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究激光退火条件对薄膜结构的影响.在激光能量密度1.0J/cm附近两个脉冲下退火,样品结晶质量较好,而且相当一部分C原子固定在替代位置,没有SiC沉积.随着C含量的增加,SiGeC薄膜的衍射峰逐渐靠近硅衬底衍射峰.说明C掺入SiGe
采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ射线辐照后,该两峰的强度分别增加3~5倍,面发光峰位不移动.并且,在所有样品的PL谱中都出现了一个新的位于580nm的发光峰.当对PL谱中位于710、800nm和新出现的580nm的发光峰作变温PL测量时,发现这三个发光峰的峰
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以C和PMMA为原料,采用溶胶-凝胶法,在石英、KBr压片及微栅衬底上分别制备了C-PMMA复合膜.利用透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(U-Vis),研究了该复合膜的形貌、微结构及光学特性,C颗粒的平均尺寸分布为18nm~75nm.
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