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该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。
用于双层多晶硅双极晶体管中的复合介质层L型侧墙形成技术
【摘 要】
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该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。
【机 构】
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大学微电子研究所
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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